张万昌，男，研究员。

　　研究方向：用于核辐射测量的平面工艺Si探测器

　　1987年毕业于厦门大学物理系。1993年获得中国原子能科学研究院核探测器与核电子学专业硕士学位。1987至1998年在中国原子能科学研究院核技术所从事转变温度（Tc）为90K和103K的两种高温超导材料研制，并进抗磁效应测量及SQUID器件的研究；高Tc超导Josephson薄膜桥结及厚膜桥结器件及其对核辐射的响应测量；面垒工艺高阻硅探测器、GaA探测器、CdTe探测器的研制。1998至2001年，在美国Brookhaven国家实验室从事Si平面工艺探测器的工艺制备、封装及测量工作，从事大面积单面 Si多微条探测器、大面积两维Si像素探测器、低能x射线Si漂移室探测器、多种复杂结构的用于同步辐射光源的x射线探测器。2001至2010年，在中国原子能科学研究院核技术应用研究所从事Si平面工艺探测器研究。现为高能所研究员。

　　主要工作和获得的成果：

　　1987.8-1998.9，在中国原子能科学研究院核技术所，研制成功转变温度（Tc）为90K和103K的两种高温超导材料；研制成了高Tc超导Josephson薄膜桥结及厚膜桥结器件，并得到了对 241Am γ和 Sr-Y β的能谱响应结果；研制成高阻Si面垒探测器，并得到对 125Iγ、241Am γ和 Sr-Y β的能谱响应结果；研制成GaAs和CdTe化合物半导体探测器，并分别得到了它们对125Iγ、241Am γ和 Sr-Y β的能谱响应结果。

　　联系方式：

　　邮箱 zhangwanchang@ihep.ac.cn   电话 010-88236813