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高能同步辐射光源验证装置高频系统首战告捷
首个超导高频腔测试达标
2017-03-16|文章来源:大装置管理中心 加速器中心 |【
 

  315日,中科院高能所组织专家对166.6MHz超导高频腔低温垂直测试进行了现场测试,该超导腔是高能同步辐射光源验证装置(HEPS-TF)中的核心研制内容之一。测试专家组由来自于清华大学、北京大学和高能所的专家组成,专家组听取了课题组的介绍,对166.6MHz超导高频腔进行了现场测试。 

  测试结果表明,分别在4.2K2K 温度下,166.6MHz beta=1的超导高频腔垂直测试已经达到了设计目标,并具有较高的Q0值。在4.2K温度下腔压达到1.5MVQ0值为2.4x109(设计目标:1.5MV, Q0>5x108@4.2K)。4.2K下的低场表面电阻为10 nΩ,表面残余电阻仅为2.3nΩ 

    166.6MHz超导腔是国际上首个低频(<200MHz)强流(流强>200mA)高功率(>150kWbeta=1的超导腔,4K2K的测试结果表明指标均达到了世界领先水平,是HEPS-TF项目的重要里程碑。该腔由北京高能锐新科技有限公司制造,加速器中心高频组负责完成超导腔的设计和后处理工作。

166.6MHz beta=1的超导高频腔垂直测试达到设计目标

166.6MHz超导高频腔


 
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