您现在的位置:首页 > 新闻动态 > 高能新闻 > 2011年高能新闻
 
芝加哥大学陈津渡教授访问高能所并受聘为高能所客座教授
2011-11-25|文章来源:研发中心 |【
 

  11月21日上午,国际著名医学物理专家、芝加哥大学陈津渡教授来中科院高能物理研究所进行访问交流。高能所所长王贻芳、党委书记王焕玉、副所长魏龙出席会议。会议就芝加哥大学与高能物理研究所在射线成像方面的合作交流、射线成像技术的未来发展等进行了深入探讨。同时,陈津渡受聘为中国科学院高能物理研究所客座教授,王贻芳为他颁发了聘书。

  陈津渡就职于芝加哥大学放射学系、成像研究所。长期从事正电子发射断层成像(PET),单光子断层成像(SPECT),光学成像,分子成像,多模态成像设备及医学物理的研究,是临床前、转化医学及临床研究与应用领域图像重建,量子图像分析,功能与物理成像,功能与分子成像等方面的国际知名专家,发表专业论文250多篇。陈津渡曾于去年3月在高能所创新论坛做了题为《Life of PET: Imaging of Life》的报告,获得高度评价。此次访问双方就射线成像领域的相关问题进行了探讨与交流,魏龙也向陈津渡介绍了高能所目前在成像技术研究方面取得的成果及未来发展的初步规划。成像中心研究人员及研究生与陈津渡就成像设备探测器、电子学、数据校正、图像重建、数据模拟等方面的问题进行了热烈讨论。会后,魏龙陪同陈津渡参观了实验室。

  经过充分的交流与讨论,陈津渡对高能所在射线成像方面所取得的成绩表示高度赞赏,也对未来的发展提出了一些很好的建议,表示将积极推动芝加哥大学与高能所在射线成像方面的科研合作与人才交流。


 
中国科学院高能物理研究所    备案序号:京ICP备05002790号-1    文保网安备案号:110402500050
地址:北京市918信箱    邮编:100049    电话:86-10-88235008    Email:ihep@ihep.ac.cn